Above1MBMemoryTest：設置開（kāi）機自檢（jiǎn）時（shí）是否（fǒu）檢測1M以上內存。該選項已經在新（xīn）的Bioses中被淘汰。由於內存（cún）價格暴跌，電腦用戶安裝內（nèi）存容量陡（dǒu）然（rán）增加，開機時的大容（róng）量內存自檢時間（jiān）太長，今後，即使一遍的內存檢測可能也會出現允許/禁止開關。

AutoConfiguration：設置（zhì）為允許時，Bioses按照最佳狀態設置。Bioses可以自動設（shè）置內存定時（shí），因此會禁止（zhǐ）一（yī）些對內存設置的修改，建（jiàn）議選擇允許方式。

MemoryTestTickSound：是（shì）否發出（chū）內存自檢的滴嗒聲。如果您閑它（tā）煩，可以關（guān）閉它（tā）們。

MemoryParityErrorCheck：設（shè）置是否要設置內存奇偶校驗。多在30線內存條使用時代（dài），已經被淘汰。但把非奇（qí）偶校驗內存強行進（jìn）行奇偶（ǒu）校驗設置（zhì）會（huì）使電腦無法開機。

CacheMemoryController：是否使用高速緩存。不（bú）在流（liú）行的AwardBioses中使用。

ShadowRAMOption：設置係統Bioses或顯示卡Bioses是否映射到常規內存（cún）中。可以加快速（sù）度，但（dàn）也可能（néng）造（zào）成死（sǐ）機。

InternalCacheMemory：是否使用CPU內部緩存（cún）(一級緩存)。可以提高係統性（xìng）能。

ExternalCacheMemory：是否（fǒu）使用CPU外（wài）部緩存(主板上的二級緩（huǎn）存（cún）)。可以提高係統性能。AMD新的（de）具有（yǒu）兩級緩存的CPU的（de）出現，使主（zhǔ）板上的二級緩存退居成三級緩存（cún）。

ConcurrentRefresh：直譯（yì）是同時發生的刷新。設置CPU在對（duì）其它I/O操作（zuò）時對內存同時刷新，可以提高係統性能。

DRAMReadWaitState：設置CPU從內存讀數據時的等（děng）待時鍾周期。在內存比CPU慢時可以設置更多的等待。

DRAMWriteWaitState：設置CPU向內存寫數（shù）據時的等待時鍾周期。在內存比CPU慢（màn）時可以設置（zhì）更多的等待。

SlowRefresh：對質量好的內存，保持數（shù）據（jù）的時間比（bǐ）較長，可以設置更（gèng）長的時間周期，從而提高係統性能（néng）。

ShadowCachecable：把映射（shè）到常規內（nèi）存（cún）的BiosesROM增加高速緩存，使（shǐ）性能更進一步。

PageMode：使內存工作於PageMode或PageInterleaved模式。

RASTimeoutCounter：使PageMode或PageInterleaved模（mó）式（shì）的工作（zuò）速度更快（kuài）。因為有可（kě）能（néng）會超過（guò）內（nèi）存RAS周期，因此采用（yòng）計數器來監視RAS周（zhōu）期，一旦超過RAS周期，則將周期自動複位為0。

MemoryRelocations：內（nèi）存重新定位。即（jí）將384的上（shàng）位內存(UpperMemoryBlock)數據轉儲到1MB以上的（de）擴展內存中（zhōng）。

MemoryHole：有（yǒu）人（rén）稱作內存（cún）孔洞。把內存地址15MB-16MB的區域留給一些特殊的ISA擴展卡（kǎ）使用，可以加速該卡工作（zuò）速（sù）度或避免衝（chōng）突。一般被設置（zhì）成禁止，除（chú）非（fēi）ISA擴展（zhǎn）卡（kǎ）有專（zhuān）門（mén）的說（shuō）明。

DRMATimingSetting：快頁（yè）內存或EDO內存速度設置，通常是60ns或70ns選擇，對10ns或更快的（de）SDRAM內存無效。

FastMAtoRASDelay：設置（zhì）內存地址(MemoryAddress)到內存（cún）行地址觸發信（xìn）號(RAS)之（zhī）間的延（yán）遲時間。

DRAMWriteBrustTiming：CPU把數據（jù）寫如高（gāo）速緩存後，再寫如內存的延（yán）遲時間。

FastRASToCASDelay：行（háng）地（dì）址觸發信號到列地址觸發信號之間的（de）延遲時間。通常（cháng）是RAS#下降到CAS#下降（jiàng）之間的時間。

DRAMLead-OffTiming：CPU讀（dú）/寫內存前的時（shí）間。

DRAMSpeculativeRead：設置（zhì）成允許時，讀（dú）內（nèi）存的時間比正常（cháng）時間提前一個時間周期，可以提高係統（tǒng）性能。

DRAMDataIntegrityMode：選擇內存（cún）校驗方式是Parity或ECC。

RefreshRASAssertion：設置（zhì）內存的（de）行地址刷（shuā）新時間周期，對質（zhì）量（liàng）好的內存可以延遲刷新，從而提高係統性（xìng）能。

RASRechargePeriod：內存行地址信號預先充（chōng）電所需要（yào）的（de）時間。

FastEDOPathSelect：設（shè）置選擇對（duì）EDO內存（cún）讀/寫的快速途徑，可以（yǐ）提高係統性能。

SDRAMRASLatency：設置（zhì）SDRAM內存的（de）行地址觸發到列地址觸發的時間延遲（chí）。

SDRAMRASTiming：設置係統對SDRAM內存的行地址觸發時間，也即刷新時間。

PeerConcurrency：為提（tí）高係統並行，使CPU對高速緩存或（huò）內（nèi）存（cún）或PCI設備，或PCI的（de）主控信號對PCI外圍設備等（děng）等操作同（tóng）時進行。係統智能（néng）越高，同CPU並行的操作（zuò）越多，性能提（tí）高越多。